GaN,AlNおよびInN レビュー

STRITE S; MORKOC H

文献

J-GLOBAL ID：200902093342855105 整理番号：93A0068251

GaN,AlNおよびInN レビュー

GaN, AlN, and InN: A review.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=93A0068251&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=93A0068251&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=E0974A") }}

著者 (2件)： ,
資料名：
巻： 10 号： 4 ページ： 1237-1266 発行年： 1992年07月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：文献レビュー発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

六方晶系および立方晶系構造の標記窒化物とその固溶体の研究の現...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=93A0068251&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=E0974A") }}

その他の無機化合物の薄膜 , 固体デバイス材料

, , ,

前のページに戻る