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J-GLOBAL ID：200902093596992501   整理番号：81A0129925

SiO₂-MOS構造における照射で形成された界面状態を理解するためのわく組

A framework for understanding radiation-induced interface states in SiO₂ MOS structures.

著者 (1件)： McLEAN F B (U.S. Army Electronics Research and Development Command, Maryland)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 27  号： 6  ページ： 1651-1657  発行年： 1980年12月 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題の界面状態に関する経験的なモデルを明らかにする。定式化に...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  (BM03074V)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiO2 ,  MOS構造 ,  界面状態 ,  理解 ,  わく組