Advanced 200nm gate profile fabrication with reactive ion etching.

文献

J-GLOBAL ID：200902094241623110 整理番号：90A0737710

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資料名：
巻： 1185 ページ： 128-136 発行年： 1990年
JST資料番号： D0943A ISSN： 0277-786X CODEN： PSISDG 資料種別：会議録 (C)
発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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