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J-GLOBAL ID：200902095107410107   整理番号：88A0101276

(001)Si基板上へのGaAs層の形成

Growth of GaAs layers on (001) Si substrates.

著者 (6件)： NARITSUKA S (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  NOZAKI C (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  SUGIYAMA N (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  NISHIKAWA Y (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  YASUAMI S (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  KOKUBUN Y (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名： Extended Abstracts of the 19th Conference on Solid State Devices and Materials, 1987  (Extended Abstracts of the 19th Conference on Solid State Devices and Materials, 1987)
ページ： 143-146  発行年： 1987年 
JST資料番号： K19870562  ISBN： 4-930813-21-2  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 滑らかな,鏡面の表面を持つGaAs層を2工程でのバッファ層の...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (2件)： Si基板 ,  GaAs