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J-GLOBAL ID：200902095791944905   整理番号：90A0343440

能動素子層を4層積み重ねた三次元IC

Three dimensional ICs, having four stacked active device layers.

著者 (4件)： KUNIO T (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  OYAMA K (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  HAYASHI Y (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  MORIMOTO M (NEC Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1989  ページ： 837-840  発行年： 1989年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プログラマブル論理アレイ,CMOSゲートアレイおよび1k C...

シソーラス用語： SOI構造 ,...

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分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 素子層 ,  4層 ,  IC