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J-GLOBAL ID：200902096047628015   整理番号：91A0331944

高純度,無転位の浮遊ゾーン・シリコンにおける成長誘起ミクロ欠陥による電荷キャリヤ再結合中心

Charge carrier recombination centers in high-purity, dislocation-free, float-zoned silicon due to growth-induced microdefects.

著者 (3件)： WANG T H (Solar Energy Research Inst., Colorado, USA) ,  CISZEK T F (Solar Energy Research Inst., Colorado, USA) ,  SCHUYLER T (Solar Energy Research Inst., Colorado, USA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 109  号： 1/4  ページ： 155-161  発行年： 1991年02月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 無転位で成長直後の浮遊ゾーンSi結晶中のスワール欠陥(A型,...

シソーラス用語： 再結合中心 ,...
準シソーラス用語： EBIC ,...

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分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (10件)： 高純度 ,  転位 ,  浮遊 ,  ゾーン ,  シリコン ,  成長 ,  誘起 ,  欠陥 ,  電荷 ,  キャリヤ再結合