文献
J-GLOBAL ID:200902096047628015   整理番号:91A0331944

高純度,無転位の浮遊ゾーン・シリコンにおける成長誘起ミクロ欠陥による電荷キャリヤ再結合中心

Charge carrier recombination centers in high-purity, dislocation-free, float-zoned silicon due to growth-induced microdefects.
著者 (3件):
資料名:
巻: 109  号: 1/4  ページ: 155-161  発行年: 1991年02月 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
無転位で成長直後の浮遊ゾーンSi結晶中のスワール欠陥(A型,...
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
,...
準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
,...
   続きはJDreamIII(有料)にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=91A0331944&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0942A") }}
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体の格子欠陥 

前のページに戻る