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J-GLOBAL ID：200902096267550858   整理番号：89A0556288

シリコンの伝導帯端近傍の酸化膜トラップ密度を得るための1/f雑音技術

A 1/f noise technique to extract the oxide trap density near the conduction band edge of silicon.

著者 (2件)： JAYARAMAN R (Massachusetts Inst. Technology, MA) ,  SODINI C G (Massachusetts Inst. Technology, MA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 36  号： 9 Pt.1  ページ： 1773-1782  発行年： 1989年09月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンの伝導帯端近傍と上部の空間およびエネルギーにおける酸...

シソーラス用語： 酸化膜 ,...
準シソーラス用語： 伝導帯 ,...

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分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  伝導帯 ,  近傍 ,  酸化膜 ,  トラップ密度 ,  雑音