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J-GLOBAL ID：200902096835385867   整理番号：84A0273115

真空蒸着結晶化銅ドープゲルマニウム薄膜をもつp型薄膜トランジスタ

p-Type thin-film transistors with vacuum-deposited crystallized copper-doped germanium films.

著者 (3件)： FISCHER A G (Univ. Dortmund, FRG) ,  TIZABI D J (Univ. Dortmund, FRG) ,  BLANKE H (Univ. Dortmund, FRG)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 4  号： 12  ページ： 447-448  発行年： 1983年12月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガラス性アルミニウムけい化物絶縁薄膜間の銅ドープ,10nm厚...

シソーラス用語： 薄膜トランジスタ ,...
準シソーラス用語： ガラス性

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 真空蒸着 ,  結晶化 ,  銅 ,  ドープ ,  ゲルマニウム ,  薄膜 ,  薄膜トランジスタ