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文献
J-GLOBAL ID:200902096868376804   整理番号:86A0129260

2H-MoS2のへき開面上にヘテロエピタキシャル成長した単分子層NbSe2膜の電子構造

Electronic structure of a monolayer NbSe2 film grown heteroepitaxially on the cleaved face of 2H-MoS2.
著者 (3件):
資料名:
ページ: 1465-1468  発行年: 1985年
JST資料番号: K19850452  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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分子線エピタキシーによって2H-MoS2
シソーラス用語:
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
金属結晶の電子構造  ,  電子分光スペクトル 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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