シリコン中のスワール欠陥形成の機構

文献

J-GLOBAL ID：200902097133337704 整理番号：83A0031957

The mechanism of swirl defects formation in silicon.

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著者 (1件)：
資料名：
巻： 59 号： 3 ページ： 625-643 発行年： 1982年10月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

標記欠陥に及ぼす成長速度Vと温度こう配G<sub>0</su...

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金属の格子欠陥 , 半導体の結晶成長

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