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J-GLOBAL ID：200902098461695290   整理番号：89A0318918

熱アニールによる非晶質Ge1-xAlx薄膜の電気抵抗率と構造の変化

Electrical resistivity and structural changes in amorphous Ge1-xAlx thin films under thermal annealing.
著者 (3件)：
CATALINA F

CATALINA F について

(C.S.I.C., Madrid, ESP)

C.S.I.C., Madrid, ESP について

, 
AFONSO C N

AFONSO C N について

(C.S.I.C., Madrid, ESP)

C.S.I.C., Madrid, ESP について

, 
ORTIZ C

ORTIZ C について

(IBM Research Lab., CA, USA)

IBM Research Lab., CA, USA について


資料名：
Thin Solid Films  (Thin Solid Films)

Thin Solid Films について


巻： 167  ページ： 57-65  発行年： 1988年12月15日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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共晶組成x=0.7を中心とするAlに富む組成領域で,スパッタ...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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焼なまし

焼なまし について

,...
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分類 (2件)：
分類
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非晶質・液体金属の電子伝導 
(BM03032V)

非晶質・液体金属の電子伝導 について

,  金属薄膜 
(BK14030T)

金属薄膜 について

タイトルに関連する用語 (4件)：
タイトルに関連する用語
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熱アニール

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, 
非晶質

非晶質 について

, 
薄膜

薄膜 について

, 
電気抵抗率

電気抵抗率 について


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