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J-GLOBAL ID：200902099694488666   整理番号：90A0473645

へき開したGaAs上の高品質二次元電子ガスの形成

Formation of a high quality two-dimensional electron gas on cleaved GaAs.

著者 (7件)： PFEIFFER L (AT&T Bell Lab., New Jersey) ,  WEST K W (AT&T Bell Lab., New Jersey) ,  STORMER H L (AT&T Bell Lab., New Jersey) ,  EISENSTEIN J P (AT&T Bell Lab., New Jersey) ,  BALDWIN K W (AT&T Bell Lab., New Jersey) ,  GERSHONI D (AT&T Bell Lab., New Jersey) ,  SPECTOR J (AT&T Bell Lab., New Jersey)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 56  号： 17  ページ： 1697-1699  発行年： 1990年04月23日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： へき開したGaAsの(110)端にMBEによって二次元電子ガ...

シソーラス用語： 劈開【結晶】 ,...

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分類 (2件)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N) ,  固体プラズマ  (BM02160W)

タイトルに関連する用語 (4件)： へき開 ,  GaAs ,  高品質 ,  二次元電子ガス