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J-GLOBAL ID：200902100001001872   整理番号：96A0066296

エピタキシャルhcp Co/GaAs(001)薄膜の4重異方性と構造挙動

Fourfold anisotropy and structural behavior of epitaxial hcp Co/GaAs(001) thin films.

著者 (9件)： GU E (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  GESTER M (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  HICKEN R J (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  DABOO C (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  TSELEPI M (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  BLAND J A C (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  BROWN L M (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  THOMSON T (Univ. St. Andrews, Fife, GBR) ,  RIEDI P C (Univ. St. Andrews, Fife, GBR)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 52  号： 20  ページ： 14704-14708  発行年： 1995年11月15日 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Crのキャップを付けたCo膜(膜厚50-150Å)をGaAs...

シソーラス用語： コバルト ,...

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分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (7件)： エピタキシャル ,  HCP ,  CO ,  GaAs ,  薄膜 ,  異方性 ,  構造挙動