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J-GLOBAL ID：200902100156540192   整理番号：97A0385126

自己整列浮遊ドットゲートを持つSi単電子メモリの室温動作

Room temperature operation of Si single-electron memory with self-aligned floating dot gate.

著者 (5件)： NAKAJIMA A (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  FUTATSUGI T (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  KOSEMURA K (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  FUKANO T (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  YOKOYAMA N (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 70  号： 13  ページ： 1742-1744  発行年： 1997年03月31日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自己整列浮遊ゲートを持つSiの単電子電界効果トランジスタメモ...

シソーラス用語： 自己組織系 ,...
準シソーラス用語： 単電子トランジスタ ,...

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分類 (2件)： 界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 自己整列 ,  浮遊 ,  ドット ,  ゲート ,  Si ,  電子 ,  室温