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J-GLOBAL ID：200902100506869842   整理番号：96A0758987

LPE法によるIII-V族化合物半導体混晶の成長および溶解に関するSolid-Liquid Diffusion Modelによる解析 I

A Solid-Liquid Diffusion Model for Growth and Dissolution of III-V Semiconductor Alloy Crystals by LPE. I.

著者 (5件)： 木村雅和 (静岡大 電子工研) ,  QIN Z (Univ. Victoria, Victoria, CAN) ,  DOST S (Univ. Victoria, Victoria, CAN) ,  田中昭 (静岡大 電子工研) ,  助川徳三 (静岡大 電子工研)
資料名： 静岡大学電子工学研究所研究報告  (Bulletin of the Research Institute of Electronics, Shizuoka University)
巻： 30  号： 2  ページ： 105-118  発行年： 1995年 
JST資料番号： S0453A  ISSN： 0286-3383  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： LPEによって形成した三元合金に対する標題モデルを説明した。...

シソーラス用語： 化合物半導体 ,...

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分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： III-V族化合物半導体 ,  混晶 ,  成長 ,  溶解 ,  解析