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J-GLOBAL ID：200902100629506868   整理番号：93A0496539

Si(100)上けい化物中の界面欠陥 “芯のない欠陥”,1/12〈111〉転位および双晶機構

Interfacial defects in silicides on Si(100): “Coreless defects,” 1/12〈111〉 dislocations, and twinning mechanisms.

著者 (4件)： EAGLESHAM D J (AT&T Bell Lab., New Jersey) ,  TUNG R T (AT&T Bell Lab., New Jersey) ,  SULLIVAN J P (AT&T Bell Lab., New Jersey) ,  SCHREY F (AT&T Bell Lab., New Jersey)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 73  号： 8  ページ： 4064-4066  発行年： 1993年04月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高分解能断面顕微鏡,平面電子線回折および暗視野顕微鏡を用いて...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  けい化物 ,  界面欠陥 ,  芯 ,  欠陥 ,  転位 ,  双晶