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J-GLOBAL ID：200902100673626641   整理番号：00A0014486

C₄F₈/N₂/Arの新しい気相化学によるCuダマシン相互配線用有機SOGのSiNに対する高選択性エッチング

Highly Selective Etching of Organic SOG to SiN for Cu Damascene Interconnects Using New Gas Chemistry of C₄F₈/N₂/Ar.

著者 (7件)： UNO S (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  YUNOGAMI T (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  TAGO K (Hitachi Ltd., Ibaraki, JPN) ,  MAEKAWA A (Hitachi ULSI Systems Ltd., Tokyo, JPN) ,  MACHIDA S (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  TOKUNAGA T (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  NOJIRI K (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
資料名： Proceedings of Symposium on Dry Process  (Proceedings of Symposium on Dry Process)
巻： 21st  ページ： 215-220  発行年： 1999年11月11日 
JST資料番号： Y0378A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体デバイスが微小化するにつれ配線のRC遅延が重要問題とな...

シソーラス用語： *プラズマエッチング ,...
準シソーラス用語： デュアルダマシン ,...

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分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  プラズマ応用  (BJ02110K) ,  絶縁材料  (NA04030W)

タイトルに関連する用語 (10件)： N2 ,  Ar ,  気相 ,  化学 ,  Cu ,  ダマシン ,  相互配線 ,  SOG ,  SiN ,  選択性エッチング