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J-GLOBAL ID：200902100705414773   整理番号：00A0624419

GaN薄膜の堆積を最適化するためのサファイア表面の反応性イオンビーム処理の効果

Effects of reactive ion beam treatment of a sapphire surface to optimite the deposition of GaN films.

著者 (4件)： KIM H-J (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  BYUN D (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  KIM G (Korea Inst. Sci. and Technol., Seoul, KOR) ,  KUM D-W (Korea Inst. Sci. and Technol., Seoul, KOR)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 87  号： 11  ページ： 7940-7945  発行年： 2000年06月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属化学蒸着法(MOCVD)でGaNを成長するための新し...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： 歪緩和

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の物質の放射線による構造と物性の変化  (BK16124V)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaN ,  薄膜 ,  堆積 ,  最適化 ,  サファイア ,  反応性 ,  イオンビーム