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J-GLOBAL ID：200902100767435971   整理番号：98A0340780

MOCVD法で成長した高い側部密度を持つ自己組織化欠陥なしのInAs/GaAsとInAs/InGaAs/GaAs量子ドット

Self organized defect free InAs/GaAs and InAs/InGaAs/GaAs quantum dots with high lateral density grown by MOCVD.

著者 (5件)： HEINRICHSDORFF F (Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU) ,  KROST A (Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU) ,  BIMBERG D (Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU) ,  KOSOGOV A O (Max-Planck-Inst. Mikrostrukturphysik, Halle, DEU) ,  WERNER P (Max-Planck-Inst. Mikrostrukturphysik, Halle, DEU)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 123/124  ページ： 725-728  発行年： 1998年01月 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属化学蒸気堆積(MOCVD)法による標記量子ドット(Q...

シソーラス用語： MOCVD ,...

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分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (10件)： MOCVD ,  成長 ,  側部 ,  密度 ,  自己組織化 ,  欠陥 ,  InAs ,  GaAs ,  InGaAs ,  量子ドット