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J-GLOBAL ID：200902100888572771   整理番号：99A0213479

InP系HBT技術と応用

InP HBT Technology and Applications.

著者 (9件)： STREIT D C (TRW, California, USA) ,  COWLES J C (TRW, California, USA) ,  KOBAYASHI K W (TRW, California, USA) ,  GUTIERREZ-AITKEN A (TRW, California, USA) ,  BLOCK T R (TRW, California, USA) ,  LAMMERT M (TRW, California, USA) ,  LESLIE G (TRW, California, USA) ,  DENNING D (RF Micro Devices, North Carolina) ,  OKI A K (TRW, California, USA)
資料名： Conference Proceedings. IEEE International Conference on Indium Phosphide and Related Materials  (Conference Proceedings. IEEE International Conference on Indium Phosphide and Related Materials)
巻： 10th  ページ： 64-67  発行年： 1998年 
JST資料番号： W0731A  ISSN： 1092-8669  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (3件)： InP ,  HBT ,  応用