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J-GLOBAL ID：200902100909726642   整理番号：99A0420042

高い膜密度と平滑性のよいSiO₂/Si界面をもつ信頼性の高いSiO₂を形成するためのラジカル酸素プロセス

Radical Oxygen(O^*) Process for Highly-Reliable SiO₂ with Higher Film-Density and Smoother SiO₂/Si Interface.

著者 (4件)： NAGAMINE M (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  ITOH H (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  SATAKE H (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  TORIUMI A (Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1998  ページ： 593-596  発行年： 1998年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲート酸化膜の品質を改善する方法として,活性ラジカル酸素雰囲...

シソーラス用語： *ゲート【半導体】 ,...
準シソーラス用語： ゲート酸化膜 ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (8件)： 密度 ,  平滑性 ,  SiO2 ,  Si ,  界面 ,  ラジカル ,  酸素 ,  プロセス