歪んだSi/SiGeによって構成されるnチャンネルMOSFET  素子の性能に対するクロスハッチングの効果

OLSEN S H; O’NEILL A G; NORRIS D J; CULLIS A G; WOODS N J; ZHANG J; FOBELETS K; KEMHADJIAN H A

文献

J-GLOBAL ID：200902100989798738 整理番号：02A0634518

歪んだSi/SiGeによって構成されるnチャンネルMOSFET 素子の性能に対するクロスハッチングの効果

Strained Si/SiGe n-channel MOSFETs: Impact of cross-hatching on device performance.

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OLSEN S H

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Semiconductor Science and Technology (Semiconductor Science and Technology)

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巻： 17 号： 7 ページ： 655-661 発行年： 2002年07月
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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