文献
J-GLOBAL ID：200902101500639787   整理番号：99A0479141

極端紫外線リソグラフィー

Extreme Ultraviolet Lithography.
著者 (2件)：
STULEN R H

STULEN R H について

(Sandia National Lab., CA, USA)

Sandia National Lab., CA, USA について

, 
SWEENEY D W

SWEENEY D W について

(Lawrence Livermore National Lab., CA, USA)

Lawrence Livermore National Lab., CA, USA について


資料名：
IEEE Journal of Quantum Electronics  (IEEE Journal of Quantum Electronics)

IEEE Journal of Quantum Electronics について


巻： 35  号： 5  ページ： 694-699  発行年： 1999年05月 
JST資料番号： H0432A  ISSN： 0018-9197  CODEN： IEJQA7  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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最小寸法が100nm以下の集積回路の将来の世代においては,1...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*フォトリソグラフィー

フォトリソグラフィー について

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分類 (1件)：
分類
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固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

固体デバイス製造技術一般 について

タイトルに関連する用語 (1件)：
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極端紫外線リソグラフィー

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