MOVPE法によりサファイヤ基板上に成長したGaN層の転位密度を減少させる新しい方法

文献

J-GLOBAL ID：200902101508167388 整理番号：01A0271099

A new method of reducing dislocation density in GaN layer grown on sapphire substrate by MOVPE.

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資料名：
巻： 221 ページ： 334-337 発行年： 2000年12月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

サファイヤ基板上に成長したGaN薄膜の転位密度を大きく減少さ...

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半導体薄膜 , 半導体結晶の電気伝導

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