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J-GLOBAL ID：200902101732054211   整理番号：97A0247041

GaN電界放出チップの選択再成長

Selective-area regrowth of GaN field emission tips.

著者 (6件)： UNDERWOOD R D (Univ. California, CA, USA) ,  KAPOLNEK D (Univ. California, CA, USA) ,  KELLER B P (Univ. California, CA, USA) ,  KELLER S (Univ. California, CA, USA) ,  DENBAARS S P (Univ. California, CA, USA) ,  MISHRA U K (Univ. California, CA, USA)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 41  号： 2  ページ： 243-245  発行年： 1997年02月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電界放出電流をGaNから初めて観測した。単結晶GaN角錐を,...

シソーラス用語： 電界放出 ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaN ,  電界放出 ,  再成長