半導体に応用する電荷センサとしての単電子トランジスタ

BERMAN D; ZHITENEV N B; ASHOORI R C; SMITH H I; MELLOCH M R

文献

J-GLOBAL ID：200902101880794151 整理番号：98A0217189

半導体に応用する電荷センサとしての単電子トランジスタ

Single-electron transistor as a charge sensor for semiconductor applications.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=98A0217189&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=98A0217189&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=E0974A") }}

著者 (5件)： , , , ,
資料名：
巻： 15 号： 6 ページ： 2844-2847 発行年： 1997年11月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

アルミニウム単電子トランジスタ(SET)を用いて,極めて高感...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=98A0217189&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=E0974A") }}

トランジスタ

, ,

前のページに戻る