文献

J-GLOBAL ID：200902102184924063   整理番号：95A0884777

アモルファスGeSe₂の光誘起結晶化過程におけるレーザースポットサイズ依存性

Laser spot size dependence in photo-induced crystallization process of amorphous GeSe2 film.

著者 (5件)： 中村充孝 (大阪大 理) ,  WANG Y (大阪大 理) ,  松田理 (大阪大 理) ,  井上恒一 (大阪大 産科研) ,  邑瀬和生 (大阪大 理)
資料名： 日本物理学会講演概要集(年会)  (日本物理学会年会予稿集)
巻： 50th  号： 2  ページ： 147  発行年： 1995年03月 
JST資料番号： S0671A  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (8件)： アモルファス ,  GeSe2 ,  光誘起 ,  結晶化 ,  過程 ,  レーザー ,  スポット ,  サイズ依存性