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J-GLOBAL ID：200902102286214281   整理番号：01A1010175

MgドープGaN膜のキャリア濃度における微小構造の影響

Influence of microstructure on the carrier concentration of Mg-doped GaN films.

著者 (5件)： ROMANO L T (Xerox Palo Alto Res. Center, California) ,  KNEISSL M (Xerox Palo Alto Res. Center, California) ,  NORTHRUP J E (Xerox Palo Alto Res. Center, California) ,  VAN DE WALLE C G (Xerox Palo Alto Res. Center, California) ,  TREAT D W (Xerox Palo Alto Res. Center, California)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 79  号： 17  ページ： 2734-2736  発行年： 2001年10月22日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOCVDでサファイア上に成長させた(0001)MgドープG...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： 逆位相領域

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分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： Mg ,  ドープ ,  GaN ,  キャリア濃度 ,  微小