Czochralski法でDashネッキングがないBドープ無転位Si結晶の成長  B濃度の影響

文献

J-GLOBAL ID：200902102605979199 整理番号：00A0724749

Dislocation-free B-doped Si crystal growth without Dash necking in Czochralski method: Influence of B concentration.

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資料名：
巻： 213 号： 3/4 ページ： 283-287 発行年： 2000年06月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

転位がないけい素単結晶を得るのに,Dashにより提唱されたネ...

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半導体の結晶成長

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