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J-GLOBAL ID：200902102847579217   整理番号：00A0283131

深紫外線リソグラフィーのための化学増幅を用いた表面をシリル化した単一層レジスト I 気相からのSi化合物の限定された浸透

A Surface-Silylated Single-Layer Resist Using Chemical Amplification for Deep-Ultraviolet Lithography. I. Limited Permeation of Si Compounds from Vapor Phase.

著者 (5件)： SUGITA K (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  IKAGAWA M (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  HARADA K (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  KUSHIDA M (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  SAITO K (Chiba Univ., Chiba, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 39  号： 2A  ページ： 669-674  発行年： 2000年02月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 基板上のポリビニルフェノール(PVP)の厚い単一層を,ヘキサ...

シソーラス用語： *フォトリソグラフィー ,...
準シソーラス用語： 深紫外線

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分類 (2件)： 試料技術  (BA02070O) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (14件)：

• 1) S. A. MacDonald, H. Ito, H. Hiraoka and C. G. Willson: Proc. SPE Reg. Tech. Conf. Photopolymers, Ellenville, NY, 1985, p. 177.
• 2) F. Coopmans and B. Roland: Proc. SPIE 631 (1986) 34.
• 3) R. Sezi, M. Sebald, R. Leuschner, H. Ahne, S. Birkle and H. Borndorfer: Proc. SPIE 1262 (1990) 84.
• 4) M. A. Hartney, R. R. Kunz, D. J. Ehrlich and D. C. Shaver: Proc. SPIE 1262 (1990) 119.
• 5) M. A. Hartney, R. R. Kunz, L. M. Eriksen and D. C. La Tulipe: Proc. SPIE 1925 (1993) 270.

タイトルに関連する用語 (9件)： 紫外線リソグラフィー ,  化学 ,  増幅 ,  シリル化 ,  単一層 ,  レジスト ,  気相 ,  Si化合物 ,  浸透