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J-GLOBAL ID：200902103029138317   整理番号：01A0053519

均一濃度の打込みSiを含むSiO₂膜のアニーリングによって成長させたSiナノ結晶の特性評価

Characterization of Si nanocrystals grown by annealing SiO₂ films with uniform concentrations of implanted Si.

著者 (5件)： GUHA S (Naval Res. Lab., Washington, D.C.) ,  QADRI S B (Naval Res. Lab., Washington, D.C.) ,  MUSKET R G (Lawrence Livermore Lab., California) ,  WALL M A (Lawrence Livermore Lab., California) ,  SHIMIZU-IWAYAMA T (Aichi Univ., Aichi, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 88  号： 7  ページ： 3954-3961  発行年： 2000年10月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記ナノ結晶の物理的及び光学的な特性評価を行った。アニーリン...

シソーラス用語： *微結晶 ,...
準シソーラス用語： 禁止帯

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分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 打込み ,  Si ,  SiO2 ,  アニーリング ,  成長 ,  ナノ結晶 ,  特性評価