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J-GLOBAL ID：200902103159243759   整理番号：00A0743228

単層カーボンナノチューブのナノエレクトロニクス素子への応用

Aplication of Single Wall Carbon Nanotube to Nano Electron Devices.

著者 (4件)： MATSUMOTO K (Electrotechnical Lab., Ibaraki-kenn, JPN) ,  GOTOH Y (Electrotechnical Lab., Ibaraki-kenn, JPN) ,  KINOSITA S (Electrotechnical Lab., Ibaraki-kenn, JPN) ,  ISHII M (JST)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 100  号： 150(SDM2000 44-60)  ページ： 97-102  発行年： 2000年06月28日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層カーボンナノチューブを用いたナノエレクトロニクス素子への...

シソーラス用語： *ナノチューブ ,...
準シソーラス用語： 陽極酸化 ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  その他の固体デバイス  (NC03150A)

タイトルに関連する用語 (3件)： 単層カーボンナノチューブ ,  ナノエレクトロニクス ,  応用