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J-GLOBAL ID：200902103161384025   整理番号：98A0562296

n型GaN上に形成したTi/AlとTa/Alオーミックコンタクトのコンタクト抵抗,機械的完全性,高温安定性

Study of Contact Resistivity, Mechanical Integrity, and Thermal Stability of Ti/Al and Ta/Al Ohmic Contacts to n-Type GaN.

著者 (4件)： LUTHER B P (Pennsylvania State Univ., PA) ,  MOHNEY S E (Pennsylvania State Univ., PA) ,  DELUCCA J M (Pennsylvania State Univ., PA) ,  KARLICEK R F JR (EMCORE Corp., NJ)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 27  号： 4  ページ： 196-199  発行年： 1998年04月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n型GaN上へのTa/Alによるオーミックコンタクト形成のア...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： オーミックコンタクト ,...

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分類 (3件)： その他の電気・電子部品  (NA05090R) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (8件)： GaN ,  Ti ,  Al ,  Ta ,  オーミックコンタクト ,  コンタクト抵抗 ,  完全性 ,  安定性