原子間力顕微鏡で測定したSiO<sub>2</sub>超薄膜の破壊誘起負電荷

PORTI M; NAFRIA M; BLUEM M C; AYMERICH X; SADEWASSER S

文献

J-GLOBAL ID：200902103441782204 整理番号：02A0889917

原子間力顕微鏡で測定したSiO₂超薄膜の破壊誘起負電荷

Breakdown-induced negative charge in ultrathin SiO₂ films measured by atomic force microscopy.

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資料名：
巻： 81 号： 19 ページ： 3615-3617 発行年： 2002年11月04日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

MOSデバイスの多結晶Si電極を除去し,AFMチップを電極と...

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誘電体一般

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原子間力顕微鏡で測定したSiO2超薄膜の破壊誘起負電荷

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