Annealing behaviour of In impurities in SiC after ion implantation.

文献

J-GLOBAL ID：200902103794999002 整理番号：93A0519503

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巻： 185 号： 1/4 ページ： 207-210 発行年： 1993年04月
JST資料番号： H0676B ISSN： 0921-4526 資料種別：逐次刊行物 (A)
発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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