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J-GLOBAL ID：200902103879062417   整理番号：02A0649486

金属内包シリコンクラスターイオンの成長とSi(111)-(7×7)表面への堆積

著者 (4件)： 内田紀行 (産業技術総合研 次世代半導体研セ) ,  BOLOTOV L (産業技術総合研 次世代半導体研セ) ,  宮崎剛英 (産業技術総合研 次世代半導体研セ) ,  金山敏彦 (産業技術総合研 次世代半導体研セ)
資料名： 超微粒子とクラスター懇談会研究会講演予稿集
巻： 6th  ページ： 68  発行年： 2002年05月15日 
JST資料番号： L3641A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ケイ素 ,...
準シソーラス用語： 混合クラスタ

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分類 (1件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 内包 ,  シリコン ,  クラスターイオン ,  成長 ,  Si ,  堆積