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J-GLOBAL ID:200902104048000640   整理番号:00A0667190

縮尺されたn-およびp-MOSFETの低電圧動作におよぼす電子および正孔反転層の影響

Impact of Electron and Hole Inversion-Layer Capacitance on Low Voltage Operation of Scaled n- and p-MOSFET’s.
著者 (3件):
資料名:
巻: 47  号:ページ: 999-1005  発行年: 2000年05月 
JST資料番号: C0222A  ISSN: 0018-9383  CODEN: IETDAI  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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標記MOSFETの電源電圧(Vdd)に...
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