Electronic defects induced in p- and n-type silicon by SF<sub>6</sub> plasma etching.

文献

J-GLOBAL ID：200902104121602093 整理番号：93A0660292

Electronic defects induced in p- and n-type silicon by SF₆ plasma etching.

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巻： 11 号： 3 ページ： 709-716 発行年： 1993年05月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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