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J-GLOBAL ID：200902104152360934   整理番号：02A0829280

4H炭化けい素エピタクシーにおける転位の変換

Dislocation conversion in 4H silicon carbide epitaxy.

著者 (4件)： HA S (Carnegie Mellon Univ., PA, USA) ,  MIESZKOWSKI P (Carnegie Mellon Univ., PA, USA) ,  SKOWRONSKI M (Carnegie Mellon Univ., PA, USA) ,  ROWLAND L B (Sterling Semiconductors, Inc., VA, USA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 244  号： 3/4  ページ： 257-266  発行年： 2002年10月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学的エッチング,光学顕微鏡法および透過型電子顕微鏡法を用い...

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (3件)： 炭化けい素 ,  エピタクシー ,  転位