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J-GLOBAL ID：200902104221670320   整理番号：94A0179588

サファイア及びシリコン基板への負イオン注入における注入イオン分布

Depth Profiles of Implanted Atoms in Negative Ion Implantation into Sapphire and Silicon Substrates.

著者 (8件)： 辻博司 (京大 工) ,  大西浩之 (京大 工) ,  南雲正二 (京大 工) ,  後藤康仁 (京大 工) ,  石川順三 (京大 工) ,  酒井滋樹 (日新電機) ,  丹上正安 (日新電機) ,  松田耕自 (日新電機)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 54th  号： 2  ページ： 604  発行年： 1993年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (5件)： サファイア ,  シリコン基板 ,  イオン注入 ,  注入 ,  イオン分布