放出波長が1.28~1.38μmの範囲の(GaIn)(NAs)/GaAs量子井戸レーザのしきい値電流密度の低減

HOEHNSDORF F; KOCH J; LEU S; STOLZ W; BORCHERT B; DRUMINSKI M

文献

J-GLOBAL ID：200902104349480427 整理番号：99A0442151

放出波長が1.28~1.38μmの範囲の(GaIn)(NAs)/GaAs量子井戸レーザのしきい値電流密度の低減

Reduced threshold current densities of (Galn)(NAs)/GaAs single quantum well lasers for emission wavelengths in the range 1.28-1.38μm.

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資料名：
巻： 35 号： 7 ページ： 571-572 発行年： 1999年04月01日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

V族源1,1-ジメチルヒドラジンと三次ブチルひ素を組み合わせ...

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半導体レーザ

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