(100)Si基板上の10nm厚c軸配向エピタキシャルPbZr<sub>0.25</sub>Ti<sub>0.75</sub>O薄膜の成長と特性評価

MARUYAMA T; SAITOH M; SAKAI I; HIDAKA T; YANO Y; NOGUCHI T

文献

J-GLOBAL ID：200902104493597142 整理番号：99A0196109

(100)Si基板上の10nm厚c軸配向エピタキシャルPbZr_0.25Ti_0.75O薄膜の成長と特性評価

Growth and characterization of 10-nm-thick c-axis oriented epitaxial PbZr_0.25Ti_0.75O₃ thin films on (100)Si substrate.

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資料名：
巻： 73 号： 24 ページ： 3524-3526 発行年： 1998年12月14日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

反応性蒸着法によりSrRuO₃/BaT...

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酸化物薄膜 , 強誘電体,反強誘電体,強弾性

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(100)Si基板上の10nm厚c軸配向エピタキシャルPbZr0.25Ti0.75O薄膜の成長と特性評価

(100)Si基板上の10nm厚c軸配向エピタキシャルPbZr_0.25Ti_0.75O薄膜の成長と特性評価