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J-GLOBAL ID：200902104528757830   整理番号：99A0276974

フルオロカーボンの誘導結合プラズマ中でのSi₃N₄に対するSiO₂とSiに対するSiO₂の選択エッチング機構の比較

Study of the SiO₂-to-Si₃N₄ etch selectivity mechanism in inductively coupled fluorocarbon plasmas and a comparison with the SiO₂-to-Si mechanism.

著者 (6件)： SCHAEPKENS M (State Univ. New York, New York) ,  STANDAERT T E F M (State Univ. New York, New York) ,  RUEGER N R (State Univ. New York, New York) ,  SEBEL P G M (State Univ. New York, New York) ,  OEHRLEIN G S (State Univ. New York, New York) ,  COOK J M (Lam Res. Corp., California)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 17  号： 1  ページ： 26-37  発行年： 1999年01月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CHF₃など数種のフルオロカーボン(F...

シソーラス用語： *RIE【エッチング】 ,...
準シソーラス用語： フルオロカーボン ,...

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分類 (2件)： プラズマ応用  (BJ02110K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (3件)： フルオロホルム ,  ヘキサフルオロエタン ,  1,1,2,3,3,3-ヘキサフルオロ-1-プロペン

タイトルに関連する用語 (6件)： フルオロカーボン ,  誘導結合プラズマ ,  Si3N4 ,  SiO2 ,  Si ,  選択エッチング