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J-GLOBAL ID：200902104566957568   整理番号：95A0150282

エピタキシャル強誘電体/伝導性ペロブフカイトヘテロ構造の漏れ電流における再現性のあるメモリ効果

Reproducible memory effect in the leakage current of epitaxial ferroelectric/conductive perovskite heterostructures.
著者 (1件)：
WATANABE Y

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(Mitsubishi Chemical, Yokohama, JPN)

Mitsubishi Chemical, Yokohama, JPN について


資料名：
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

Applied Physics Letters について


巻： 66  号： 1  ページ： 28-30  発行年： 1995年01月02日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
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(BM03088W)

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