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J-GLOBAL ID：200902104832850219   整理番号：97A0934944

光化学反応による水溶液からの化合物半導体堆積の新しい技術

A New Technique of Compound Semiconductor Deposition from an Aqueous Solution by Photochemical Reactions.

著者 (3件)： GOTO F (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  ICHIMURA M (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  ARAI E (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 36  号： 9A/B  ページ： L1146-L1149  発行年： 1997年09月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CdS膜をS₂O<sub>3</sub...

シソーラス用語： *光化学反応 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  光化学反応  (CB08020F)

引用文献 (6件)：

• FATAS, E. J. Electrochem. Soc. 1984, 131, 2243
• PAVASKAR, N. R. J. Electrochem. Soc. 1977, 124, 743
• ZOUARI, I. J. Electrochem. Soc. 1992, 139, 2163
• MARTINUZZI, S. Sol. Cells. 1982, 5, 243
• TELL, B. Phys. Rev. 1966, 144, 771

タイトルに関連する用語 (4件)： 光化学反応 ,  水溶液 ,  化合物半導体 ,  堆積