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J-GLOBAL ID：200902104841503459   整理番号：01A0700114

二重障壁共鳴トンネルダイオードの電流-電圧特性に現れた位相破壊効果 4桁を超える理論的あてはめ

Phase-Breaking Effect Appearing in the Current-Voltage Characteristics of Double-Barrier Resonant Tunneling Diodes. Theoretical Fitting Over Four Orders of Magnitude.

著者 (3件)： NAGASE M (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  FURUYA K (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  MACHIDA N (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 40  号： 4B  ページ： 3018-3022  発行年： 2001年04月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 位相破壊効果と構造の不均一性を考慮に入れて標記ダイオードの電...

シソーラス用語： *共鳴トンネルダイオード ,...
準シソーラス用語： 位相破壊

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分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

引用文献 (10件)：

• 1) K. Furuya: J. Appl. Phys. 62 (1987) 1492.
• 2) M. Tsuchiya and H. Sakaki: Jpn. J. Appl. Phys. 30 (1991) 1164.
• 3) Y. C. Kang, K. Furuya, M. Suhara and Y. Miyamoto: Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) 6491.
• 4) R. Lake and S. Datta: Phys. Rev. B 45 (1992) 6670.
• 5) H. Tsuchiya, M. Ozawa and T. Miyoshi: Jpn. J. Appl. Phys. 31 (1992) 745.

タイトルに関連する用語 (7件)： 障壁 ,  共鳴トンネルダイオード ,  電圧特性 ,  位相 ,  破壊 ,  理論 ,  あてはめ