炭素添加によるSiGeヘテロ接合バイポーラトランジスタのプロセスマージンの増加

OSTEN H J; KNOLL D; HEINEMANN B; SCHLEY P

文献

J-GLOBAL ID：200902104853611060 整理番号：99A0830695

炭素添加によるSiGeヘテロ接合バイポーラトランジスタのプロセスマージンの増加

Increasing Process Margin in SiGe Heterojunction Bipolar Technology by Adding Carbon.

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資料名：
巻： 46 号： 9 ページ： 1910-1912 発行年： 1999年09月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)のSiGe層に微量...

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トランジスタ

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