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J-GLOBAL ID：200902104944793978   整理番号：99A0297070

rfマグネトロンスパッタ蒸着窒化けい素膜によるシリコンの表面不動態化

Surface passivation of silicon by rf magnetron-sputtered silicon nitride films.

著者 (1件)： VETTER M (Univ. Stuttgart, Stuttgart, DEU)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 337  号： 1/2  ページ： 118-122  発行年： 1999年01月11日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p型Si基板に標記スパッタ蒸着したSi過剰窒化けい素膜(Si...

シソーラス用語： *不動態化 ,...
準シソーラス用語： エリプソメトリー

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分類 (3件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： RF ,  マグネトロン ,  スパッタ蒸着 ,  窒化 ,  けい素膜 ,  シリコン ,  表面不動態化