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J-GLOBAL ID：200902104981654465   整理番号：00A0277101

High-purity cubic GaN grown on a AlGaAs buffer layer by molecular beam epitaxy.

著者 (4件)： KIMURA R (Teikyo Univ. Sci. and Technol., Yamanashi, JPN) ,  GOTOH Y (Teikyo Univ. Sci. and Technol., Yamanashi, JPN) ,  MATSUZAWA T (Teikyo Univ. Sci. and Technol., Yamanashi, JPN) ,  TAKAHASHI K (Teikyo Univ. Sci. and Technol., Yamanashi, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 209  号： 2/3  ページ： 382-386  発行年： 2000年02月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (2件)： GaN ,  AlGaAs