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J-GLOBAL ID：200902104997362804   整理番号：01A0201302

有機金属化学気相蒸着により成長したGaNバッファ層と引続くGaN被覆層におよぼす昇温速度の影響

Influences of temperature ramping rate on GaN buffer layers and subsequent GaN overlayers grown by metalorganic chemical vapor deposition.

著者 (5件)： WUU D-S (Da-Yeh Univ., Chang-Hwa, TWN) ,  HORNG R-H (National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN) ,  TSENG W-H (Da-Yeh Univ., Chang-Hwa, TWN) ,  LIN W-T (Da-Yeh Univ., Chang-Hwa, TWN) ,  KUNG C-Y (National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 220  号： 3  ページ： 235-242  発行年： 2000年12月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOCVDによるサファイア基板上GaN薄膜の二段階成長中の昇...

シソーラス用語： 化合物半導体 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 有機金属化学 ,  気相蒸着 ,  成長 ,  GaN ,  バッファ層 ,  被覆層 ,  昇温速度